ＴＣＬ环鑫半导体获得一种碳化硅超结 MOSFET 的制造的进程专利
时间: 2025-01-07 18:46:22 | 作者: 竞彩体育彩票首页官网
金融界 2024 年 11 月 13 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，ＴＣＬ 环鑫半导体（天
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金融界 2024 年 11 月 13 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，ＴＣＬ 环鑫半导体（天津）有限公司获得一项名为“一种碳化硅超结 MOSFET 的制造的进程”的专利，授权公告号 CN 118629871 B，请求日期为 2024 年 8 月。
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